Китайские источники опубликовали документ, проливающий свет на некоторые характеристики топового мобильного процессора Qualcomm Snapdragon 835, на базе которого будут работать многие флагманские смартфоны будущего года, пишет Phone Arena.
Согласно имеющейся информации, чип, разработанный Qualcomm в сотрудничестве с Samsung, выполнен по 10-нм техпроцессу Samsung FinFET. В отличие от нынешнего флагманского четырехъядерного процессора Snapdragon 820/821 новый чип получит восемь ядер Kryo 200, объединенные в два кластера по четыре ядра, однако тактовая частота их работы не уточняется. Также Snapdragon 835 получит графический контроллер Adreno 540 и будет поддерживать оперативную память LPDDR4X-1866 и флеш-память UFS 2.1.
Ранее представители Qualcomm также сообщали, что новый чип получит поддержку технологии быстрой зарядки Quick Charge 4, которая была анонсирована на прошлой неделе.
Ожидается, что Snapdragon 835 выйдет на рынок в начале будущего года, а одним из первых его может получить смартфон Samsung Galaxy S8, который, по всей видимости, будет представлен в конце февраля на выставке MWC в Барселоне.